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kV4H-SiC相关论文
首只10kV 4H-SiC肖特基二极管问世
自1994年报导了第一只采用10μm掺氮6H-SiC漂移层并用P_d作接触金属的1000V肖特基二极管以来,SiC肖特基二极管的阻塞电压得到稳步......
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肖特基二极管
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